1. 工艺适配指南
| 实验环境 | 耐受性表现 | 适用科研领域 |
| 强酸/强碱液体 | 100%贴合，边缘无渗入剥离 | 电化学传感器、微流控芯片 |
| 超声波清洗 | 二维材料薄膜不脱落 | 器件加工、光刻剥离（Lift-off） |
| 宽电压扫描 | 宽扫描电压耐受性，漏电流低 | 场效应晶体管（FET）研究 |
2. 常见问题
Q: 你们的封端处理会改变SiO2的电学绝缘性吗？
A: 不会。封端工艺仅作用于表面原子层，不改变 bulk 层的介电常数，确保Gate控制能力不受影响。
Q: 是否支持定制化的氧化层厚度？
A: 除了标准的 90/280nm，我们支持在 50nm-1000nm 范围内进行精密定制。
Q: 该晶圆是否兼容电子束曝光（EBL）工艺？
A: 完全兼容。表面电荷分布均匀，有助于提高纳米级图案的良率。